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News電阻式日本共和應(yīng)變片按材質(zhì)可分為金屬和半導(dǎo)體兩類
更新時(shí)間：2018-12-21 點(diǎn)擊次數(shù)：2718次
力學(xué)傳感器的種類繁多，如日本共和應(yīng)變片壓力變送器、半導(dǎo)體應(yīng)變片壓力變送器、壓阻式壓力變送器、電感式壓力變送器、電容式壓力變送器、諧振式壓力變送器及電容式加速度傳感器等。但應(yīng)用為廣泛的是壓阻式壓力變送器，它具有極低的價(jià)格和較高的精度以及較好的線性特性。下面我們主要介紹這類傳感器。
在了解壓阻式壓力變送器時(shí)，我們首先認(rèn)識(shí)一下電阻應(yīng)變片這種元件。日本共和應(yīng)變片 是一種將被測(cè)件上的應(yīng)變變化轉(zhuǎn)換成為一種電信號(hào)的敏感器件。它是壓阻式應(yīng)變變送器的主要組成部分之一。電阻應(yīng)變片應(yīng)用多的是金屬電阻應(yīng)變片和半導(dǎo)體應(yīng)變片兩種。金屬電阻應(yīng)變片又有絲狀應(yīng)變片和金屬箔狀應(yīng)變片兩種。通常是將應(yīng)變片通過(guò)特殊的粘和劑緊密的粘合在產(chǎn)生力學(xué)應(yīng)變基體上，當(dāng)基體受力發(fā)生應(yīng)力變化時(shí)，電阻應(yīng)變片也一起產(chǎn)生形變，使應(yīng)變片的阻值發(fā)生改變，從而使加在電阻上的電壓發(fā)生變化。這種應(yīng)變片在受力時(shí)產(chǎn)生的阻值變化通常較小，一般這種應(yīng)變片都組成應(yīng)變電橋，并通過(guò)后續(xù)的儀表放大器進(jìn)行放大，再傳輸給處理電路（通常是A/D轉(zhuǎn)換和CPU）顯示或執(zhí)行機(jī)構(gòu)。
電阻式日本共和應(yīng)變片的種類一般分為兩類：
一、一般金屬應(yīng)變片
一般金屬日本共和應(yīng)變片 分為金屬絲式、箔式、薄膜式三種。壓力變送器金屬絲式應(yīng)變片有紙基、腔基兩種，由F該糞應(yīng)變片受拉伸時(shí)蠕變較大容易斷裂、脫膠，使絕緣萑底和蓋層分離，所以有被其他兩種庖變片取代的趨勢(shì)。但幽制作簡(jiǎn)單、價(jià)格便宜，日前仍廣泛用于低測(cè)量精度應(yīng)力、應(yīng)變測(cè)量場(chǎng)合。
金屬箔式應(yīng)變片采用光刻、腐蝕T藝，在粘貼于絕緣基底的薄盒屬fi-上制成箔式電阻嗍柵。由于與基底的接觸面機(jī)較』=。所以在受拉伸時(shí)不易脫膠。散熱條件好，可通過(guò)較大電流。蠕變較小、一致性好易J‘大批量牛產(chǎn)。I：1前廣泛用f應(yīng)變式傳感器制造r。
薄膜式應(yīng)變片采用真空蒸鍍技術(shù)，在絕緣基屬上蒸鍍層薄金屬材料制成薄膜電阻，然后用覆蓋層加以保護(hù)。它與基地的接觸面積大，性能優(yōu)J‘其他應(yīng)變電阻。
二、半導(dǎo)體應(yīng)變片
半導(dǎo)體日本共和應(yīng)變片 采用鍺、硅半導(dǎo)體材料。利用光刻、腐蝕或壓膜工藝，壓力變送器在基底P制成應(yīng)變敏堪柵，然后用覆蓋層加以保護(hù)，如罔14—4所爪。
半導(dǎo)體應(yīng)變片的優(yōu)點(diǎn)足應(yīng)變系數(shù)較大．分辨率高。但由于半導(dǎo)體材料性質(zhì)決定了它與應(yīng)變之間的非線性，所以溫漂大、一致性也差。在使用時(shí)應(yīng)增加溫度樸償、零點(diǎn)漂移抑制以廈其他非線性補(bǔ)償措施。
在網(wǎng)14—4中，N型硅和P型鍺兩種半導(dǎo)體在受拉伸時(shí)，阻值變化互異，可構(gòu)成取臂半嬌，即可產(chǎn)生溫度自補(bǔ)效應(yīng)又可降低非線性影響。
在了解壓阻式壓力變送器時(shí)，我們首先認(rèn)識(shí)一下電阻應(yīng)變片這種元件。日本共和應(yīng)變片 是一種將被測(cè)件上的應(yīng)變變化轉(zhuǎn)換成為一種電信號(hào)的敏感器件。它是壓阻式應(yīng)變變送器的主要組成部分之一。電阻應(yīng)變片應(yīng)用多的是金屬電阻應(yīng)變片和半導(dǎo)體應(yīng)變片兩種。金屬電阻應(yīng)變片又有絲狀應(yīng)變片和金屬箔狀應(yīng)變片兩種。通常是將應(yīng)變片通過(guò)特殊的粘和劑緊密的粘合在產(chǎn)生力學(xué)應(yīng)變基體上，當(dāng)基體受力發(fā)生應(yīng)力變化時(shí)，電阻應(yīng)變片也一起產(chǎn)生形變，使應(yīng)變片的阻值發(fā)生改變，從而使加在電阻上的電壓發(fā)生變化。這種應(yīng)變片在受力時(shí)產(chǎn)生的阻值變化通常較小，一般這種應(yīng)變片都組成應(yīng)變電橋，并通過(guò)后續(xù)的儀表放大器進(jìn)行放大，再傳輸給處理電路（通常是A/D轉(zhuǎn)換和CPU）顯示或執(zhí)行機(jī)構(gòu)。
電阻式日本共和應(yīng)變片的種類一般分為兩類：
一、一般金屬應(yīng)變片
一般金屬日本共和應(yīng)變片 分為金屬絲式、箔式、薄膜式三種。壓力變送器金屬絲式應(yīng)變片有紙基、腔基兩種，由F該糞應(yīng)變片受拉伸時(shí)蠕變較大容易斷裂、脫膠，使絕緣萑底和蓋層分離，所以有被其他兩種庖變片取代的趨勢(shì)。但幽制作簡(jiǎn)單、價(jià)格便宜，日前仍廣泛用于低測(cè)量精度應(yīng)力、應(yīng)變測(cè)量場(chǎng)合。
金屬箔式應(yīng)變片采用光刻、腐蝕T藝，在粘貼于絕緣基底的薄盒屬fi-上制成箔式電阻嗍柵。由于與基底的接觸面機(jī)較』=。所以在受拉伸時(shí)不易脫膠。散熱條件好，可通過(guò)較大電流。蠕變較小、一致性好易J‘大批量牛產(chǎn)。I：1前廣泛用f應(yīng)變式傳感器制造r。
薄膜式應(yīng)變片采用真空蒸鍍技術(shù)，在絕緣基屬上蒸鍍層薄金屬材料制成薄膜電阻，然后用覆蓋層加以保護(hù)。它與基地的接觸面積大，性能優(yōu)J‘其他應(yīng)變電阻。
二、半導(dǎo)體應(yīng)變片
半導(dǎo)體日本共和應(yīng)變片 采用鍺、硅半導(dǎo)體材料。利用光刻、腐蝕或壓膜工藝，壓力變送器在基底P制成應(yīng)變敏堪柵，然后用覆蓋層加以保護(hù)，如罔14—4所爪。
半導(dǎo)體應(yīng)變片的優(yōu)點(diǎn)足應(yīng)變系數(shù)較大．分辨率高。但由于半導(dǎo)體材料性質(zhì)決定了它與應(yīng)變之間的非線性，所以溫漂大、一致性也差。在使用時(shí)應(yīng)增加溫度樸償、零點(diǎn)漂移抑制以廈其他非線性補(bǔ)償措施。
在網(wǎng)14—4中，N型硅和P型鍺兩種半導(dǎo)體在受拉伸時(shí)，阻值變化互異，可構(gòu)成取臂半嬌，即可產(chǎn)生溫度自補(bǔ)效應(yīng)又可降低非線性影響。
